Module công suất MOSFET HA210N06-TH325
Mô tả ngắn
Gaming & Console > Khác || Module công suất MOSFET HA210N06-TH325Còn hàng
So sánh giá ×
- Giao hàng toàn quốc
- Được kiểm tra hàng
- Thanh toán khi nhận hàng
- Chất lượng, Uy tín
- 7 ngày đổi trả dễ dàng
- Hỗ trợ xuất hóa đơn đỏ
Giới thiệu Module công suất MOSFET HA210N06-TH325
Module công suất MOSFET HA210N06 được sử dụng để đóng ngắt tải DC bằng MOSFET HA210N06 với công suất đối đa lên đến 24VDC 210A (theo thông số nhà SX), mạch có thiết kế nhỏ gọn, tiện lắp đặt, có Opto và IC đệm cách ly đảm bảo an toàn cho mạch điều khiển và giao tiếp, mạch có chất lượng cao, lớp đồng dày, IC MOSFET tích hợp tản nhiệt cho độ bền và độ ổn định caoỨng dụng: điều khiển tốc độ động cơ DC, điều khiển bàn nhiệt máy in 3D, đóng ngắt, dimmer tải DC,…
1. Thông số kĩ thuật:
IC chính: MOSFET N Channel HA210N06
Điện áp cấp cho tải tối đa: 12 – 24VDC.
Dòng cấp cho tải tối đa: 210A (nên sử dụng khoảng dưới 80A, trên 80A cần thêm tản nhiệt)
Điện áp giao tiếp (điện áp kích): 5.5VDC (Với R5 = 10K) hoặc 5V (với R5 = 4k7)
Tích hợp Opto và IC đệm cách ly tín hiệu kích.
Kích thước: 60 x 50mm
2. Tham Khảo
Datasheet MOSFET HA210N06
Chú ý: Nếu tải là động cơ cần gắn thêm 1 Diod ngay ngõ ra (Annot – GND, Catot – VCC_OUT) để bảo vệ FET khỏi dòng xả ngược từ động cơ.
Giá WAI
Từ khóa
logitechcủ sạc type csonyghế gamingnút bắn pubgnút bắn pubg auto taptay cầm chơi gamemáy chơi game cầm taytay cầm chơi game điện thoạiphụ kiện chơi game pubg mobilebộ 2 nút bấm chơi game pubgtay cầm pubgphụ kiện chơi pubg mobiletay cầm chơi game pubg mobilenút bấm chơi gamenút hổ trợ chơi gamenút pubgnút bấm pubgtay ps4 dualshocktay game bluetoothtay cầm xboxtai cầm chơi gamexbox one controllernút chơi game pubgtay cầm ps4 dualshock 4tay cầm fo4playstation 5nút chơi gametay cầm ps4tay cầm chơi game bluetooth